Flash存储器

　　(1)Flash 存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为NOR Flash 和NAND Flash 两种。

　　(2)Flash存储器的特点：

　　A、区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。

　　B、先擦后写：Flash 的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

　　C、操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段时序(NAND Flash)才能将数据写入。

　　D、位反转：由于Flash 的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。

　　E、坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。

　　(3)NOR Flash的特点：

　　应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM 中运行。NOR Flash 的传输效率很高，在1MB~4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

　　(4)NAND Flash的特点

　　能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的U盘都使用NAND Flash 作为存储介质的原因。应用NAND Flash 的困难在于闪存需要特殊的系统接口。

　　(5)NOR Flash 与NAND Flash 的区别：

　　A、NOR Flash 的读速度比NAND Flash 稍快一些。

　　B、NAND Flash 的擦除和写入速度比NOR Flash 快很多

　　C、NAND Flash 的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

　　D、NOR Flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash 的地址、数据和命令共用8位总线(有写公司的产品使用16位)，每次读写都要使用复杂的I/O 接口串行地存取数据。

　　E、NOR Flash 的容量一般较小，通常在1MB~8MB 之间;NAND Flash 只用在8MB 以上的产品中。

　　因此，NOR Flash 只要应用在代码存储介质中，NAND Flash 适用于资料存储。

　　F、NAND Flash 中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash 是十万次。

　　G、NOR Flash 可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码;NAND Flash需要特殊的I/O 接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND Flash 上自始至终必须进行虚拟映像。

　　H、NOR Flash 用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪存;NAND Flash 则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U 盘等领域，被成为数据闪存。